GaP
Galliumfosfidikide (GaP) on infrapuna-optinen materiaali, jolla on hyvä pinnan kovuus, korkea lämmönjohtavuus ja laajakaistainen läpäisy.Erinomaisten kokonaisvaltaisten optisten, mekaanisten ja lämpöominaisuuksiensa ansiosta GaP-kiteitä voidaan käyttää sotilas- ja muilla kaupallisilla korkean teknologian aloilla.
| Perusominaisuudet | |
| Kristallirakenne | Sinkki sekoitus |
| Ryhmä symmetriaa | Td2-F43m |
| Atomien lukumäärä 1 cm:ssä3 | 4,94·1022 |
| Augerin rekombinaatiokerroin | 10-30cm6/s |
| Debye lämpötila | 445 K |
| Tiheys | 4,14 g cm-3 |
| Dielektrisyysvakio (staattinen) | 11.1 |
| Dielektrisyysvakio (korkea taajuus) | 9.11 |
| Tehokas elektronimassaml | 1.12mo |
| Tehokas elektronimassamt | 0.22mo |
| Tehokkaat reikämassatmh | 0.79mo |
| Tehokkaat reikämassatmlp | 0.14mo |
| Elektronien affiniteetti | 3,8 eV |
| Hilavakio | 5,4505 A |
| Optinen fononienergia | 0,051 |
| Tekniset parametrit | |
| Kunkin komponentin paksuus | 0,002 ja 3 +/-10 % mm |
| Suuntautuminen | 110-110 |
| Pinnan laatu | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| Tasaisuus | aallot aallonpituudella 633 nm – 1 |
| Rinnakkaisuus | kaari min < 3 |
