Terahertsilähteet ovat aina olleet yksi tärkeimmistä teknologioista THz-säteilyn alalla. Monien tapojen on osoitettu toimiviksi THz-säteilyn saavuttamiseksi. Tyypillisesti tele- ja fotoniikkatekniikat.Fotoniikan alalla suuriin epälineaarisiin kertoimiin, korkean optisen vaurion kynnyksen omaaviin epälineaarisiin kiteisiin perustuva epälineaarinen optinen ero-taajuus on yksi tavoista saada suuritehoisia, viritettäviä, kannettavia ja huoneenlämpöisiä THz-aaltoja.Epälineaarisia GaSe- ja ZnGeP2(ZGP)-kiteitä levitetään enimmäkseen.
GaSe-kiteitä, joilla on alhainen absorptio millimetri- ja THz aallolla, korkea vaurioitunut kynnys ja korkea toinen epäliheäkerroin (d22 = 54 pm/V), käytetään yleisesti 40 μm:n terahertsiaallon ja myös pitkän aaltokaistan viritettävän Thz-aallon (yli 40 μm) käsittelemiseen.Sen todettiin olevan viritettävä THz-aalto 2,60 -39,07 μm, kun sovituskulma on 11,19° - 23,86° [eoo (e - o = o)] ja 2,60 - 36,68 μm, kun sovituskulma on 12,19° -27,01° [eoe (eoe). - o = e)].Lisäksi saatiin 42,39-5663,67 μm viritettävä THz-aalto, kun sovituskulma oli 1,13°-84,71° [oee (o - e = e)].
ZnGeP2 (ZGP) -kiteitä, joilla on korkea epälineaarinen kerroin, korkea lämmönjohtavuus ja korkea optinen vaurioitunut kynnys, on myös tutkittu erinomaisena THz-lähteenä.ZnGeP2:lla on myös toinen epälineaarinen kerroin d36 = 75 pm/V), joka on 160 kertaa KDP-kiteet.ZGP-kiteiden kahden tyypin vaihesovituskulma (1,03°-10,34°[oee (oe = e)] & 1,04°-10,39°[oeo (oe=e)]) käsittelee samanlaista THz-lähtöä (43,01 -5663,67 μm), oeo-tyyppi osoittautui paremmaksi valinnaksi suuremman tehokkaan epälineaarisen kertoimen ansiosta.Hyvin pitkään ZnGeP2-kiteiden tehokkuus terahertsilähteenä oli rajoitettu, koska muiden toimittajien ZnGeP2-kiteillä on korkea absorptio lähi-infrapuna-alueella (1-2 μm): Absorptiokerroin > 0,7 cm-1 @ 1 μm ja > 0,06 cm-1 @ 2 μm.Kuitenkin DIEN TECH tarjoaa ZGP-kiteitä (malli: YS-ZGP) erittäin alhaisella absorptiokyvyllä: Absorptiokerroin <0,35cm-1@1μm ja <0.02cm-1@2μm.Kehittyneiden YS-ZGP-kiteiden avulla käyttäjät voivat saavuttaa paljon paremman tuoton.
Viite:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Chin.Phys.Soc.
