Epälineaariset kiteet

Kasvumenetelmiä, mukaan lukien vaaka- ja pystysuora, näitä materiaaleja (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) on saatavana vakiokokoisina ja -suuntaisina.Joitakin niistä, joilla on suuri epälineaarinen kerroin ja tarjoamamme ainutlaatuiset mitat, käytetään laajasti tavallisissa SHG-, THG- ja keski-infrapuna OPO-, OPA-järjestelmissä jne. Tuotteet voidaan toimittaa anodisoidun alumiinipidikkeen kanssa tai ilman.

GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) epälineaarinen optinen yksikide, jossa yhdistyy suuri epälineaarinen kerroin, korkea vauriokynnys ja laaja läpinäkyvyysalue.Se on erittäin sopiva materiaali SHG:lle keski-IR:ssä.
ZGP(ZnGeP2) -kiteet

ZGP-kiteet, joilla on suuret epälineaariset kertoimet (d36 = 75 pm/V), laaja infrapunaläpinäkyvyysalue (0,75-12 μm), korkea lämmönjohtavuus (0,35 W/(cm·K)), korkea laservauriokynnys (2-5 J/cm2) ja hyvin koneistusominaisuus, ZnGeP2-kidettä kutsuttiin infrapuna-epälineaaristen optisten kiteiden kuninkaaksi ja se on edelleen paras taajuuden muunnosmateriaali suuritehoiseen, viritettävään infrapunalasertuotantoon.Voimme tarjota korkealaatuisia ja halkaisijaltaan suuria ZGP-kiteitä, joiden absorptiokerroin on erittäin pieni α < 0,05 cm-1 (pumpun aallonpituuksilla 2,0-2,1 µm), joita voidaan käyttää keski-infrapunaviritettävän laserin tuottamiseen korkealla tehokkuudella OPO:n tai OPA:n kautta. prosessit.
AGSe(AgGaSe2) -kiteet

AGSeAgGaSe2-kiteillä on nauhareunat 0,73 ja 18 µm:ssä.Sen hyödyllinen lähetysalue (0,9–16 µm) ja laaja vaihesovituskyky tarjoavat erinomaiset mahdollisuudet OPO-sovelluksiin, kun sitä pumpataan useilla eri lasereilla.Viritys 2,5–12 µm:n sisällä on saatu pumpattaessa Ho:YLF-laserilla 2,05 µm:llä;sekä ei-kriittinen vaihesovitus (NCPM) 1,9–5,5 µm:n alueella pumpattaessa 1,4–1,55 µm.AgGaSe2:n (AgGaSe2) on osoitettu olevan tehokas taajuutta kaksinkertaistava kide infrapuna-CO2-laserien säteilylle.
AGS(AgGaS2)-kiteitä

AGS on läpinäkyvä 0,50 - 13,2 µm.Vaikka sen epälineaarinen optinen kerroin on alhaisin mainittujen infrapunakiteiden joukossa, korkean lyhyen aallonpituuden läpinäkyvyysreunausta 550 nm:ssä hyödynnetään Nd:YAG-laserin pumppaamissa OPO:issa;lukuisissa erotaajuussekoituskokeissa diodi-, Ti:Sapphire-, Nd:YAG- ja IR-värilasereilla, jotka kattavat 3–12 µm alueen;suorissa infrapunavastatoimijärjestelmissä ja CO2-laserin SHG:ssä.Ohuet AgGaS2 (AGS) -kidelevyt ovat suosittuja ultralyhyiden pulssien tuottamiseen keskipitkällä IR-alueella NIR-aallonpituuspulsseja käyttävien taajuuksien erotuksella.
BGSe(BaGa4Se7) -kiteet

Korkealaatuiset BGSe:n kiteet (BaGa4Se7) on kalkogenidiyhdisteen BaGa4S7 selenidianalogi, jonka asentrinen ortorombinen rakenne tunnistettiin vuonna 1983 ja IR NLO -ilmiö raportoitiin vuonna 2009, on vasta kehitetty IR NLO -kide.Se saatiin Bridgman-Stockbarger-tekniikalla.Tällä kiteellä on korkea läpäisykyky laajalla alueella 0,47–18 μm, lukuun ottamatta absorptiohuippua noin 15 μm:ssä.
BGGSe(BaGa2GeSe6) Kiteet

BaGa2GeSe6-kiteellä on korkea optinen vauriokynnys (110 MW/cm2), laaja spektrin läpinäkyvyysalue (0,5 - 18 μm) ja korkea epälineaarisuus (d11 = 66 ± 15 pm/V), mikä tekee tästä kiteestä erittäin houkuttelevan lasersäteilyn taajuuden muuntaminen IR-alueen keskialueelle (tai sen sisällä).