Tuotteet

GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) epälineaarinen optinen yksikide, jossa yhdistyy suuri epälineaarinen kerroin, korkea vauriokynnys ja laaja läpinäkyvyysalue.Se on erittäin sopiva materiaali SHG:lle keski-IR:ssä.
ZGP(ZnGeP2) -kiteet

ZGP-kiteet, joilla on suuret epälineaariset kertoimet (d36 = 75 pm/V), laaja infrapunaläpinäkyvyysalue (0,75-12 μm), korkea lämmönjohtavuus (0,35 W/(cm·K)), korkea laservauriokynnys (2-5 J/cm2) ja hyvin koneistusominaisuus, ZnGeP2-kidettä kutsuttiin infrapuna-epälineaaristen optisten kiteiden kuninkaaksi ja se on edelleen paras taajuuden muunnosmateriaali suuritehoiseen, viritettävään infrapunalasertuotantoon.Voimme tarjota korkealaatuisia ja halkaisijaltaan suuria ZGP-kiteitä, joiden absorptiokerroin on erittäin pieni α < 0,05 cm-1 (pumpun aallonpituuksilla 2,0-2,1 µm), joita voidaan käyttää keski-infrapunaviritettävän laserin tuottamiseen korkealla tehokkuudella OPO:n tai OPA:n kautta. prosessit.
AGSe(AgGaSe2) -kiteet

AGSeAgGaSe2-kiteillä on nauhareunat 0,73 ja 18 µm:ssä.Sen hyödyllinen lähetysalue (0,9–16 µm) ja laaja vaihesovituskyky tarjoavat erinomaiset mahdollisuudet OPO-sovelluksiin, kun sitä pumpataan useilla eri lasereilla.Viritys 2,5–12 µm:n sisällä on saatu pumpattaessa Ho:YLF-laserilla 2,05 µm:llä;sekä ei-kriittinen vaihesovitus (NCPM) 1,9–5,5 µm:n alueella pumpattaessa 1,4–1,55 µm.AgGaSe2:n (AgGaSe2) on osoitettu olevan tehokas taajuutta kaksinkertaistava kide infrapuna-CO2-laserien säteilylle.
AGS(AgGaS2)-kiteitä

AGS on läpinäkyvä 0,50 - 13,2 µm.Vaikka sen epälineaarinen optinen kerroin on alhaisin mainittujen infrapunakiteiden joukossa, korkean lyhyen aallonpituuden läpinäkyvyysreunausta 550 nm:ssä hyödynnetään Nd:YAG-laserin pumppaamissa OPO:issa;lukuisissa erotaajuussekoituskokeissa diodi-, Ti:Sapphire-, Nd:YAG- ja IR-värilasereilla, jotka kattavat 3–12 µm alueen;suorissa infrapunavastatoimijärjestelmissä ja CO2-laserin SHG:ssä.Ohuet AgGaS2 (AGS) -kidelevyt ovat suosittuja ultralyhyiden pulssien tuottamiseen keskipitkällä IR-alueella NIR-aallonpituuspulsseja käyttävien taajuuksien erotuksella.
BGSe(BaGa4Se7) -kiteet

Korkealaatuiset BGSe:n kiteet (BaGa4Se7) on kalkogenidiyhdisteen BaGa4S7 selenidianalogi, jonka asentrinen ortorombinen rakenne tunnistettiin vuonna 1983 ja IR NLO -ilmiö raportoitiin vuonna 2009, on vasta kehitetty IR NLO -kide.Se saatiin Bridgman-Stockbarger-tekniikalla.Tällä kiteellä on korkea läpäisykyky laajalla alueella 0,47–18 μm, lukuun ottamatta absorptiohuippua noin 15 μm:ssä.
BGGSe(BaGa2GeSe6) Kiteet

BaGa2GeSe6-kiteellä on korkea optinen vauriokynnys (110 MW/cm2), laaja spektrin läpinäkyvyysalue (0,5 - 18 μm) ja korkea epälineaarisuus (d11 = 66 ± 15 pm/V), mikä tekee tästä kiteestä erittäin houkuttelevan lasersäteilyn taajuuden muuntaminen IR-alueen keskialueelle (tai sen sisällä).